功率电路采用大功率双H桥电路，上半桥使用P沟道功率MOSFET IRF9540，下半桥使用N沟道功率MOSFET IRF540。这样可以满足驱动母线电源电压为85V、相电流7A的步进电机的要求。而且采用这种结构，可以简化驱动电路电源的设计，因为再不需要多个隔离的驱动电源，可以使母线电源与驱动电源共地。
对于上桥P沟道功率MOSFET的栅极驱动采用由NPN和PNP三极管构成的互补式驱动电路，使 MOSFET输入电容充放电电路的电阻都很小，加速了功率管的通断。并通过并接一个13V的稳压二极管，使得当母线电压较高时钳位MOSFET的栅源驱动电压，以避免其超过栅源击穿电压。
而对于下桥N沟道功率MOSFET的栅极驱动采用简单的NPN三极管驱动放大电路，这样改善了MOSFET的开通过程，而且减少了驱动电源的功率;并在三极管的基极与发射极反并联二极管，这样就为输入电容提供了放电回路，加速了功率管的关断过程。
当驱动电路直接来驱动功率 MOSFET时会引起被驱动功率MOSFET的快速开通和关断，这就有可能造成被驱动功率MOSFET漏源极间电压的振荡。这样，一则会引起射频干扰;二则有可能造成功率MOSFET遭受过高的 而击穿损坏。为解决这一问题，采用在被驱动功率MOSFET的栅极与驱动电路的输出之间串联一个15 的无感电阻。具体的上、下半桥驱动电路分别如图3和图4所示。L297输出的载有斩波信号的INH1、INH2，与时序逻辑信号A、B、C、D经过逻辑门电路的恰当组合，产生PWM1和PWM2信号，作为驱动电路的斩波信号输入端。
